テクノロジー?材料
半导体用高纯度シリコンの収率の限界を突破 ～水素ラジカル発生?输送装置の开発で15％以上の収率向上が期待～
国立研究开発法人 物质?材料研究机构（狈滨惭厂）と国立大学法人筑波大学は、従来は25％が限界といわれていた半导体用高纯度シリコンを生成するシーメンス法の厂颈収率を向上させることに成功しました。反応性の高い水素ラジカルを大気圧で発生?输送できる装置を开発し、シリコン製造ラインに导入して副反応物の発生を抑えることで、収率が15％以上向上することが期待されます。今后、コンピューターや太阳电池向けに需要が高まる高纯度シリコン生成プロセスの改善や低コスト化が期待されます。
本研究は狈滨惭厂机能性材料研究拠点次世代半导体グループ角谷正友 主席研究员と冈本裕二 研修生（筑波大学大学院博士课程、现 出光兴产株式会社）、および筑波大学数理物质系物质工学域 铃木义和准教授の研究チームによって行われました。
図：本研究で开発した水素ラジカル発生装置と反応炉の概念図
本研究は狈滨惭厂机能性材料研究拠点次世代半导体グループ角谷正友 主席研究员と冈本裕二 研修生（筑波大学大学院博士课程、现 出光兴产株式会社）、および筑波大学数理物质系物质工学域 铃木义和准教授の研究チームによって行われました。
図：本研究で开発した水素ラジカル発生装置と反応炉の概念図