テクノロジー?材料
プラスチックフィルム上での高性能半导体薄膜合成に成功
情报化社会の発展に伴い、安価?軽量?丈夫?柔软なプラスチックを半导体薄膜の基材としたフレキシブル?デバイスが注目を集めています。プラスチックフィルムに高度な情报処理机能をもたせるには、集积回路に用いられるシリコン（厂颈）基板と同等のキャリア移动度をもつ半导体薄膜を合成する必要があります。しかし、耐热温度の限られたプラスチックフィルム上で、そのような半导体薄膜を得ることはこれまで困难とされてきました。
本研究チームは、厂颈を上回るキャリア移动度と、比较的低い结晶化温度をもつゲルマニウム(骋别)に着眼し、骋别薄膜の结晶化过程を工夫するとともに、耐热プラスチックフィルムを用いることにより、上记の问题を解决しました。具体的には、プラスチックフィルム表面を、骋别トランジスタのゲート絶縁膜としても好适な酸化ゲルマニウム（骋别翱x）でコーティングした上で、Ge薄膜を500℃に加熱して結晶化を誘起することで、極めて品質の良い多結晶Ge薄膜を実現しました。キャリア移動度は、ガラスやプラスチックなどの非晶質基板上に直接合成されたあらゆる半導体薄膜の中で最高となる690 cm2/痴蝉に达しました。これは、単结晶厂颈基板の正孔移动度をも凌驾する値です。本研究成果により、あらゆる电子デバイスの汎用性を飞跃的に向上させるような、革新的なフレキシブル?デバイスの开発が期待されます。