テクノロジー?材料
原子厚の半導体材料を自在に接合 ～低エネルギー消費の電子?光デバイス等への応用が期待～
首都大学东京?理学研究科の宫田耕充准教授、小林佑（日本学术振兴会特别研究员、当时）、筑波大学?数理物质系の吉田昭二准教授、重川秀実教授、丸山実那助教、冈田晋教授らの研究チームは、次世代の半导体材料として期待されている迁移金属ダイカルコゲナイドの新たな合成技术を开発することで、一原子レベルで组成が急峻に変化する半导体原子层の接合构造を実现し、その构造と电気的性质の解明に成功しました。このような原子层の半导体ヘテロ接合を使うことで、电子の流れや発光?吸収波长の制御、および非常に小さな电力で动作する电子デバイスや光デバイス、高効率なエネルギー変换素子等への応用が期待されます。
図 (补)本研究で开発した化学気相成长装置の模式図と。异なる迁移金属とカルコゲン元素を含む４种类の原料を基板上に连続的に供给することができる。(产)异なる组成の罢惭顿の结晶を连続的に成长させる様子。
図 (补)本研究で开発した化学気相成长装置の模式図と。异なる迁移金属とカルコゲン元素を含む４种类の原料を基板上に连続的に供给することができる。(产)异なる组成の罢惭顿の结晶を连続的に成长させる様子。