テクノロジー?材料
磁性絶縁体を用いてグラフェンのスピンの向きを制御 ―スピントランジスタの実現に向け前進―
量子科学技术研究开発机构量子ビーム科学研究部门の境诚司上席研究员、物质?材料研究机构先端材料解析研究拠点の山内泰狈滨惭厂特别研究员、筑波大学数理物质系の山田洋一讲师、庆应义塾大学理工学部の安藤和也准教授らは、グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実现にかかせない电子スピンの向きを制御する新技术の开発に成功しました。本成果は、今日のエレクトロニクスが抱える性能向上の限界や电力消费の问题解决に繋がるスピントロニクス4)の発展に向けて道を拓くものです。
図 グラフェンと驰滨骋の接合における电子スピン间の相互作用を示す概念図
実験结果を解析した结果、グラフェンと驰滨骋の接合では、両者が原子レベルで近接することで、界面（点线で囲んだ领域）にある酸素原子を介してグラフェンと驰滨骋の电子のスピンの间に互いの向きを揃えるような相互作用が働いていることが分かりました。このようなグラフェンと磁性絶縁体の接合における近接効果は、スピントランジスタの新しい动作技术として利用できます。
図 グラフェンと驰滨骋の接合における电子スピン间の相互作用を示す概念図
実験结果を解析した结果、グラフェンと驰滨骋の接合では、両者が原子レベルで近接することで、界面（点线で囲んだ领域）にある酸素原子を介してグラフェンと驰滨骋の电子のスピンの间に互いの向きを揃えるような相互作用が働いていることが分かりました。このようなグラフェンと磁性絶縁体の接合における近接効果は、スピントランジスタの新しい动作技术として利用できます。