テクノロジー?材料
优れた电気的特性を有する半导体薄膜を开発 ?ガラス上ゲルマニウム薄膜の正孔移动度を大幅に向上?
筑波大学数理物质系 都甲薫准教授、末益崇教授らの研究グループは、ガラス上に合成した半导体薄膜として最高の正孔移动度を持つゲルマニウム（骋别）薄膜の开発に成功しました。
本研究では、简便な固相成长法を用いてガラス上に多结晶骋别薄膜を低温合成するとともに、その前駆体となる骋别薄膜の密度に着眼しました。その结果、高密度かつ非晶质の骋别薄膜を前駆体に用いることにより、固相成长后の多结晶骋别薄膜の结晶粒が剧的に大きくなり、正孔移动度が飞跃的に向上することを発见しました。今回得られた正孔移动度は、絶縁体上に低温合成したあらゆる半导体薄膜の中で最高の値です。
図 固相成长プロセスの模式図と、今回形成したガラス上多结晶骋别薄膜の写真（右）。
本研究では、简便な固相成长法を用いてガラス上に多结晶骋别薄膜を低温合成するとともに、その前駆体となる骋别薄膜の密度に着眼しました。その结果、高密度かつ非晶质の骋别薄膜を前駆体に用いることにより、固相成长后の多结晶骋别薄膜の结晶粒が剧的に大きくなり、正孔移动度が飞跃的に向上することを発见しました。今回得られた正孔移动度は、絶縁体上に低温合成したあらゆる半导体薄膜の中で最高の値です。
図 固相成长プロセスの模式図と、今回形成したガラス上多结晶骋别薄膜の写真（右）。