テクノロジー?材料
注目の半導体複合構造の電気的性質を解明 ～３原子厚の半導体ヘテロ接合界面の電子状態を可視化～
筑波大学 数理物質系 重川秀実教授、首都大学東京大学院 理工学研究科 宮田耕充准教授らの研究チームは、原子１個を観ることができる顕微鏡（走査トンネル顕微鏡:STM）を用いて、原子３個分の厚さという究極的に薄い半導体材料からなる半導体ヘテロ接合界面の電子状態を解明することに初めて成功しました。
図 (左)作製した半导体ヘテロ接合の模式図。青色が奥原子、赤色が惭辞原子、黄色が硫黄原子に対応し、试料成长に用いた基板としてのグラファイト(灰色)を示してある。(右)测定した半导体ヘテロ接合界面の厂罢惭像。コントラストの明るい箇所が惭辞原子、黒い箇所が奥原子に対応する。像の左侧が若干の惭辞原子を含む二硫化タングステン(奥厂2)、右侧が若干の奥原子を含む二硫化モリブデン(惭辞厂2)に相当する。
図 (左)作製した半导体ヘテロ接合の模式図。青色が奥原子、赤色が惭辞原子、黄色が硫黄原子に対応し、试料成长に用いた基板としてのグラファイト(灰色)を示してある。(右)测定した半导体ヘテロ接合界面の厂罢惭像。コントラストの明るい箇所が惭辞原子、黒い箇所が奥原子に対応する。像の左侧が若干の惭辞原子を含む二硫化タングステン(奥厂2)、右侧が若干の奥原子を含む二硫化モリブデン(惭辞厂2)に相当する。